半導(dǎo)體全面分析(五):先進(jìn)封裝,驗(yàn)證檢測(cè),并道超車!
- 分類:行業(yè)動(dòng)態(tài)
- 作者:史晨星
- 來源:OFweek 電子工程網(wǎng)
- 發(fā)布時(shí)間:2023-02-02 10:56
- 訪問量:
【概要描述】半導(dǎo)體全面分析(五):先進(jìn)封裝,驗(yàn)證檢測(cè),并道超車!
半導(dǎo)體全面分析(五):先進(jìn)封裝,驗(yàn)證檢測(cè),并道超車!
【概要描述】半導(dǎo)體全面分析(五):先進(jìn)封裝,驗(yàn)證檢測(cè),并道超車!
- 分類:行業(yè)動(dòng)態(tài)
- 作者:史晨星
- 來源:OFweek 電子工程網(wǎng)
- 發(fā)布時(shí)間:2023-02-02 10:56
- 訪問量:
長(zhǎng)電科技宣傳片
十五、封測(cè)
45. 市場(chǎng):全球 3000 億,中國(guó) 2000 億
芯片做好后,得從晶圓上切下來,接上導(dǎo)線,裝上外殼,順便還得測(cè)試,這就叫封測(cè)
2018 年全球半導(dǎo)體封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模為 533 億美金,同比增長(zhǎng) 5.1%,摩爾定律對(duì)封測(cè)行業(yè)的推動(dòng)并不顯著
中國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體封測(cè)市場(chǎng),2018 年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體封裝市場(chǎng)規(guī)模為 2193 億元,同比增長(zhǎng) 16%,占據(jù)全球半導(dǎo)體封測(cè)的 68.42%
46. 技術(shù):封裝+測(cè)試兩大工藝
封測(cè)分為封裝、測(cè)試兩大工藝,封裝是對(duì)制造完成的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行封裝保護(hù)、管腳引出,測(cè)試是對(duì)芯片的可靠性、穩(wěn)定性進(jìn)行檢測(cè),最終形成商品化的半導(dǎo)體產(chǎn)品
十六、封裝
47. 定義
如果以蓋房子來比喻造芯片,ARM這樣的IP授權(quán)方就是賣圖紙的設(shè)計(jì)院、海思和高通等芯片公司就是地產(chǎn)商、負(fù)責(zé)芯片代工的臺(tái)積電就是樓房的施工方,而封裝廠商就是水電工和裝修工,負(fù)責(zé)讓芯片真正具有可用性
封裝就是給芯片穿上“衣服”——外殼,把芯片上的電路管腳用導(dǎo)線連接到外殼的引腳上,這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件相連接,從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路的連接
封裝能固定芯片免受物理損傷、化學(xué)損傷(空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕)、增強(qiáng)散熱性能、便于安裝和運(yùn)輸
48. 技術(shù)路線:小型化、集成化
先進(jìn)封裝有兩大發(fā)展路徑
1)尺寸減小,使其接近芯片大小,一個(gè)重要指標(biāo)是芯片面積與封裝面積之比,這個(gè)比值越接近1越好,包括 WLCSP、FC、Bumping、Fanout 等等
2)功能性發(fā)展,即強(qiáng)調(diào)異構(gòu)集成,在系統(tǒng)微型化中提供多功能,包括 TSV、SIP 等等
基于這兩大技術(shù)路線,誕生了一系列封裝方式,下面詳細(xì)介紹
49. 技術(shù)路徑:四大階段
封裝技術(shù)大體經(jīng)歷了通孔插裝時(shí)代、表面安裝器件時(shí)代、面積陣列表面封裝時(shí)代和高密度封裝時(shí)代四個(gè)階段,也體現(xiàn)在材料、引腳形狀和裝配方式的進(jìn)步
第一階段:20世紀(jì)80年代以前(插孔原件時(shí)代)
封裝的主要技術(shù)是針腳插裝(PTH),其特點(diǎn)是插孔安裝到PCB上,主要形式有TO(晶體管外形封裝)、DIP(雙列封裝)、SIP(單列直插封裝)、PGA(引腳柵陣列),它們的不足之處是密度、頻率難以提高,難以滿足高效自動(dòng)化生產(chǎn)的要求
第二階段:20世紀(jì)80年代中期(表面貼裝時(shí)代)
表面貼裝封裝(SMD)的主要特點(diǎn)是引線代替針腳,引線為翼形或丁形,兩邊或四邊引出,節(jié)距為1.27到0.4mm,適合于3-300條引線,表面貼裝技術(shù)改變了傳統(tǒng)的PTH插裝形式,通過細(xì)微的引線將集成電路貼裝到PCB板上。主要形式為SOP(小外型封裝)、PLCC(塑料有引線片式載體)、PQFP(塑料四邊引線扁平封裝)、J型引線QFJ和SOJ、LCCC(無引線陶瓷芯片載體)等
它們的主要優(yōu)點(diǎn)是引線細(xì)、短,間距小,封裝密度提高;電氣性能提高;體積小,重量輕;易于自動(dòng)化生產(chǎn)。它們所存在的不足之處是在封裝密度、I/O數(shù)以及電路頻率方面還是難以滿足ASIC、微處理器發(fā)展的需要
第三階段:20世紀(jì)90年代~至今(面積陣列封裝時(shí)代)
第三階段專注單個(gè)芯片小型化封裝,一直持續(xù)到現(xiàn)在,技術(shù)路線為BGA(球柵陣列)→CSP(芯片尺寸)→FC(倒裝)→WLP(晶圓級(jí))→Fan-out(扇出),下面詳細(xì)介紹
球柵陣列封裝 BGA(Ball GridArray Package)封裝是1990年初由美國(guó)Motorola與日本Citizen公司共同開發(fā)的先進(jìn)高性能封裝技術(shù),在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳,在印刷基板的正面裝配LSI 芯片,然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封,也稱為凸點(diǎn)陳列載體(PAC),優(yōu)點(diǎn)有:縮短互聯(lián)長(zhǎng)度、縮小互聯(lián)面積、成品率高、焊接工藝要求低、散熱好,具有更小的體積,更好的散熱性能和電性能
芯片尺寸封裝 CSP(ChipScale Package)是指封裝外殼的尺寸不超過裸芯片尺寸1.2倍的一種先進(jìn)封裝形式,優(yōu)點(diǎn)集中體現(xiàn)在:封裝密度高、電學(xué)性能優(yōu)良、散熱性能優(yōu)良、測(cè)試和篩選容易
倒裝封裝技術(shù) FC(Flip-chip)通過芯片上呈陳列排布的凸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)貼裝與引線鍵合工序的合二為一。由于與常規(guī)封裝中芯片的放置方向相反,故而稱為倒裝,主要優(yōu)點(diǎn):高密度I/O數(shù)、電性能優(yōu)異、散熱良好
WLP(晶圓級(jí)封裝)是對(duì)整片晶圓進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù),封裝后的芯片尺寸與裸片完全一致,具備兩大優(yōu)勢(shì):1)將芯片 I/O 分布在 IC 芯片的整個(gè)表面,使得芯片尺寸達(dá)到微型化極限。2)直接在晶圓片上對(duì)眾多芯片封裝、老化、測(cè)試,從而減少常規(guī)工藝流程,提高封裝效率
WLP又經(jīng)歷了從Fan-in WLP(WLCSP)向Fan-out WLP(FOWLP)的演進(jìn),F(xiàn)an-in WLP是在 wafer 未進(jìn)行切片前對(duì) wafer 進(jìn)行封裝,之后再進(jìn)行切片分割,完成后的封裝大小和芯片尺寸接近
Fan-Out WLP技術(shù)是先將芯片作切割分離,將芯片重新布局到一塊人工晶圓上,然后將芯片正面朝下黏于載具(Carrier)上,并且芯片間距要符合電路設(shè)計(jì)的節(jié)距(Pitch)規(guī)格,接著進(jìn)行封膠(Molding)后形成面板(Panel),后續(xù)將封膠面板與載具分離,可實(shí)現(xiàn)在芯片范圍外延伸RD以容納更多的I/O數(shù)
第四階段:21世紀(jì),微電子封裝技術(shù)堆疊式封裝時(shí)代
在封裝觀念上發(fā)生了革命性的變化,從原來的封裝元件概念演變成封裝系統(tǒng),包括 SoC(System On Chip)、SiP(System In Packet)等
SoC(System On Chip)是將原本不同功能的 IC,整合在一顆芯片中,不單可以縮小體積,還可以縮小不同 IC 間的距離,提升芯片的計(jì)算速度,制作方法是在 IC 設(shè)計(jì)階段時(shí),將各個(gè)不同的 IC 放在一起,再透過先前介紹的設(shè)計(jì)流程,制作成一張光罩
系統(tǒng)級(jí)封裝SiP(System in Package)將多種功能芯片,包括處理器、存儲(chǔ)器等多功能芯片進(jìn)行并排或疊加,集成在一個(gè)封裝內(nèi),從而用一塊“芯片”實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本完整的功能,相比 SoC,SiP有以下兩個(gè)優(yōu)點(diǎn),SiP 技術(shù)集成度更高,但研發(fā)周期反而更短,還能解決異質(zhì)( Si,GaAs)集成問題,技術(shù)路線為2D 封裝(MCM等)→3D 封裝(TSV等),下面詳細(xì)介紹
2D 封裝 MCM(多芯片組件)將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上,省去了IC的封裝材料和工藝,大幅提高電路連線密度、“輕、薄、短、小”、可靠度提升
3D封裝相當(dāng)于讓芯片在縱向上有了一個(gè)擴(kuò)展,把平房變成高樓,就可以在土地面積不變的情況下塞下更多的人,可以大幅度縮小尺寸、減輕重量、功耗等,技術(shù)路線為FC(引線倒裝鍵合)→POP(封裝體堆疊)→TSV(硅通孔)
引線和倒裝(FC)鍵合式3D封裝是第一代3D封裝形式
POP(package onpackage)是在底部元器件上再放置元器件
硅通孔TSV(ThroughSilicon Via)是一種實(shí)現(xiàn)Die(晶粒)與Die垂直互連的技術(shù),在芯片間或晶圓間制作垂直通道,實(shí)現(xiàn)芯片間垂直互聯(lián),連線長(zhǎng)度縮短到芯片厚度,傳輸距離減少到千分之一,可以顯著減小RC延遲,提高計(jì)算速度;顯著降低噪聲、能耗和成本,按照在芯片上鉆孔順序的先后可分為ViaFirst、Via Middle和ViaLast
十七、檢測(cè)
50. 定義
測(cè)試主要目的是保證芯片在惡劣環(huán)境下能完全實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)規(guī)格書所規(guī)定的功能及性能指標(biāo),每一道測(cè)試都會(huì)產(chǎn)生一系列的測(cè)試數(shù)據(jù),不僅可以判斷芯片性能是否符合標(biāo)準(zhǔn),是否可以進(jìn)入市場(chǎng),而且能夠從測(cè)試結(jié)果的詳細(xì)數(shù)據(jù)中充分、定量地反映出每顆芯片從結(jié)構(gòu)、功能到電氣特性的各種指標(biāo),可有效提高芯片的成品率以及生產(chǎn)效率
集成電路測(cè)試包括設(shè)計(jì)階段的設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造階段的過程工藝檢測(cè)、封裝前的晶圓測(cè)試以及封裝后的成品測(cè)試,貫穿設(shè)計(jì)、制造、封裝以及應(yīng)用的全過程,在保證芯片性能、提高產(chǎn)業(yè)鏈運(yùn)轉(zhuǎn)效率方面具有重要作用
51. 市場(chǎng)規(guī)模:中國(guó) 300 億
根據(jù)臺(tái)灣工研院,IC專業(yè)測(cè)試成本約占到IC設(shè)計(jì)營(yíng)收的6-8%,據(jù)此推算,國(guó)內(nèi)2017年IC專業(yè)測(cè)試的潛在市場(chǎng)規(guī)模在160億元左右,至2020年將有望達(dá)到300億元,年復(fù)合增速達(dá)24%
52. 技術(shù):分類
芯片測(cè)試主要分三大類:功能測(cè)試、性能測(cè)試、可靠性測(cè)試
功能測(cè)試是測(cè)試芯片的參數(shù)、指標(biāo)、功能,用人話說就是看你十月懷胎生下來的寶貝是騾子是馬拉出來遛遛
性能測(cè)試是由于芯片在生產(chǎn)制造過程中,有無數(shù)可能的引入缺陷的步驟,即使是同一批晶圓和封裝成品,芯片也各有好壞,所以需要進(jìn)行篩選,人話說就是雞蛋里挑石頭,把“石頭”芯片丟掉
可靠性測(cè)試是芯片通過了功能與性能測(cè)試,得到了好的芯片,但是芯片會(huì)不會(huì)被冬天里最討厭的靜電弄壞,在雷雨天、三伏天、風(fēng)雪天能否正常工作,以及芯片能用一個(gè)月、一年還是十年等等,這些都要通過可靠性測(cè)試進(jìn)行評(píng)估
測(cè)試方法包括板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試等等,下面詳細(xì)介紹
53. 工藝:設(shè)計(jì)、前道、后道
按半導(dǎo)體工藝,可分為設(shè)計(jì)驗(yàn)證、前道檢測(cè)、后道檢測(cè)
設(shè)計(jì)驗(yàn)證
設(shè)計(jì)驗(yàn)證,又稱實(shí)驗(yàn)室測(cè)試或特性測(cè)試,是在芯片進(jìn)入量產(chǎn)之前驗(yàn)證設(shè)計(jì)是否正確,需要進(jìn)行功能測(cè)試和物理驗(yàn)證
板級(jí)測(cè)試主要應(yīng)用于功能測(cè)試,使用PCB板+芯片搭建一個(gè)“模擬”的芯片工作環(huán)境,把芯片的接口都引出,檢測(cè)芯片的功能,或者在各種嚴(yán)苛環(huán)境下看芯片能否正常工作。需要應(yīng)用的設(shè)備主要是儀器儀表,需要制作的主要是EVB評(píng)估板
前道量檢測(cè)
前道量檢測(cè)工藝是提高產(chǎn)線良率、降低生產(chǎn)成本的重要環(huán)節(jié),在很大程度上決定了代工廠的競(jìng)爭(zhēng)能力,貫穿芯片制造環(huán)節(jié)始終,對(duì)加工制造過程進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)控,確保每一步加工后的產(chǎn)品均符合參數(shù)要求,根據(jù)測(cè)試目的可以細(xì)分為量測(cè)和檢測(cè)
量測(cè)的主要作用在于“量”,即測(cè)定晶圓制造過程中薄膜厚度、膜應(yīng)力、摻雜濃度、關(guān)鍵尺寸、套刻精度等關(guān)鍵參數(shù)是否符合設(shè)計(jì)要求。對(duì)于一條正常運(yùn)轉(zhuǎn)的產(chǎn)線來說,量測(cè)的結(jié)果應(yīng)該都是符合設(shè)計(jì)要求的,一旦出現(xiàn)量測(cè)結(jié)果持續(xù)偏離設(shè)計(jì)值的情況,就表明產(chǎn)線工藝出現(xiàn)了問題,需要進(jìn)行問題的排查
檢測(cè)重點(diǎn)在于“檢”,即檢查生產(chǎn)過程中有無產(chǎn)生表面雜質(zhì)顆粒沾污、晶體圖案缺陷、機(jī)械劃傷等缺陷,晶圓缺陷可能會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體產(chǎn)品在使用時(shí)發(fā)生漏電、斷電的情況,影響芯片的成品率,通過晶圓缺陷檢測(cè)來監(jiān)控工藝,可以減少產(chǎn)量損失, 提高工藝良率
后道檢測(cè)
后道檢測(cè)工藝有效降低封裝成本,并確保出廠產(chǎn)品質(zhì)量,根據(jù)工藝在封裝環(huán)節(jié)的前后順序,后道檢測(cè)可以分為 CP 測(cè)試和 FT 測(cè)試,通過 CP、FT 測(cè)試能夠?qū)υ撆萎a(chǎn)品進(jìn)行結(jié)果檢驗(yàn),確保合格產(chǎn)品進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)或進(jìn)入市場(chǎng), 并得出產(chǎn)品的良率進(jìn)行反饋
CP晶圓測(cè)試【Chip Probing】又稱中測(cè),顧名思義就是用探針【Probe】來扎Wafer上的芯片,把各類信號(hào)輸入進(jìn)芯片,把芯片輸出響應(yīng)抓取并進(jìn)行比較和計(jì)算,通過對(duì)代工完成后的晶圓進(jìn)行測(cè)試,目的是在劃片封裝前把壞的祼片(die)挑出來,以減少封裝和芯片成品測(cè)試成本,同時(shí)統(tǒng)計(jì)出晶圓上的管芯合格率、不合格管芯的確切位置和各類形式的合格率等,能直接反應(yīng)晶圓制造良率、檢驗(yàn)晶圓制造能力,需要應(yīng)用的設(shè)備主要是自動(dòng)測(cè)試設(shè)備【ATE】+探針臺(tái)【Prober】+儀器儀表,需要制作的硬件是探針卡【Probe Card】
FT芯片成品測(cè)試(Final Test)也稱終測(cè),集成電路后道工序的劃片、鍵合、封裝及老化過程中都會(huì)損壞部分電路,所以在封裝、老化以后要按照測(cè)試規(guī)范對(duì)電路成品進(jìn)行全面的電路性能檢測(cè),目的是挑選出合格的成品,根據(jù)器件性能的參數(shù)指標(biāo)分級(jí),同時(shí)記錄各級(jí)的器件數(shù)和各種參數(shù)的統(tǒng)計(jì)分布情況,需要應(yīng)用的設(shè)備主要是自動(dòng)測(cè)試設(shè)備【ATE】+機(jī)械臂【Handler】+儀器儀表,需要制作的硬件是測(cè)試板【Loadboard】+測(cè)試插座【Socket】等
SLT系統(tǒng)級(jí)測(cè)試常常作為成品FT測(cè)試的補(bǔ)充而存在,顧名思義就是在一個(gè)系統(tǒng)環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試,把芯片放到它正常工作的環(huán)境中運(yùn)行功能來檢測(cè)其好壞,缺點(diǎn)是只能覆蓋一部分的功能,覆蓋率較低所以一般是FT的補(bǔ)充手段。需要應(yīng)用的設(shè)備主要是機(jī)械臂【Handler】,需要制作的硬件是系統(tǒng)板【System Board】+測(cè)試插座【Socket】
可靠性測(cè)試針對(duì)芯片產(chǎn)品被置于嚴(yán)苛的溫度、濕度及壓力下測(cè)試,比如ESD靜電、高溫老化HTOL【High Temperature Operating Life】,HAST【Highly Accelerated Stress Test】等然后估算芯片壽命
十八、產(chǎn)業(yè)化
54. 核心競(jìng)爭(zhēng)力:規(guī)模經(jīng)濟(jì)、專業(yè)化
封測(cè)和上游設(shè)計(jì)、晶圓加工緊密結(jié)合,需要同客戶進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的共同開發(fā)和磨合,結(jié)合客戶反饋才能不斷優(yōu)化封裝測(cè)試方案和工藝流程,形成較高的壁壘,同時(shí)對(duì)資本投入的要求高,規(guī)模是發(fā)展的前提,我們認(rèn)為具備市場(chǎng)開拓能力、獨(dú)立測(cè)試方案開發(fā)技術(shù)能力、資本運(yùn)作能力的IC封測(cè)公司更具發(fā)展?jié)摿?/p>
封測(cè)行業(yè)具有規(guī)模經(jīng)濟(jì)、高成本敏感性且驗(yàn)證周期長(zhǎng)、客戶黏性強(qiáng)、企業(yè)細(xì)分度高的屬性,因此要想實(shí)現(xiàn)彼此利潤(rùn)最大化,只有通過相互合并,利用彼此先進(jìn)技術(shù)以及整合優(yōu)質(zhì)客戶資源
封測(cè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中相對(duì)人力密集的產(chǎn)業(yè),勞動(dòng)力成本是全球產(chǎn)業(yè)鏈分工過程中重要的比較優(yōu)勢(shì)來源
測(cè)試專業(yè)化是大勢(shì)所趨,芯片設(shè)計(jì)趨向于多樣化和定制化,制程過程中的參數(shù)控制和缺陷檢測(cè)等要求越來越高,對(duì)應(yīng)的封測(cè)方案也多樣化,IC測(cè)試專業(yè)化的需求提升
55. 全球:臺(tái)灣第一,大陸第二
2018 年全球前十大廠商合計(jì)市占率達(dá)到 80.9%,我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)最為領(lǐng)先,日月光、矽品、力成、京元、欣邦分列第 1 名、第 4 名、第 5 名、第 9 名和第 10 名,大陸廠商長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技分列第 3 名、第 6 名、第 7 名
日月光 ASE
1984 年成立,是全球第一大半導(dǎo)體封測(cè)公司,在中國(guó)大陸的上海市、蘇州市、昆山市和威海市設(shè)有半導(dǎo)體封裝、測(cè)試、材料、電子廠
安靠 Amkor
1968 年成立,2013 年 7 月收購(gòu)東芝集團(tuán)旗下的全資子公司東芝電子,2014 年上海工廠占全球 1/3,可提供近千種封裝方式和尺寸,全球第二
矽品 SPIL
SPIL 矽品(SiliconwarePrecision Industries)1984 年成立,總部位于臺(tái)中,是世界第四大封裝測(cè)試廠,2002 年成立蘇州公司
力成
1997 成立于中國(guó)臺(tái)灣,大陸蘇州工廠,全球第五,其中存儲(chǔ)產(chǎn)品第一
56. 中國(guó):長(zhǎng)電、微電、華天三大巨頭
2014 年開始,我國(guó)企業(yè)跨國(guó)并購(gòu)頻繁,長(zhǎng)電科技收購(gòu)全球第四大新加坡封測(cè)廠星科金朋,華天科技收購(gòu)美國(guó) FCI,通富微電收購(gòu) AMD 蘇州和檳城封測(cè)廠,晶方科技購(gòu)入英飛凌智瑞達(dá)部分資產(chǎn),國(guó)內(nèi)封測(cè)企業(yè)借助海外并購(gòu),行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力顯著提升,龍頭封測(cè)企業(yè)的封裝技術(shù)已經(jīng)達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平
長(zhǎng)電科技 JECT
1972 年成立,2003 年上市,2015 年跨境并購(gòu)星科金朋,2018 年排名全球第三
通富微電 TF
2016 年收購(gòu)?fù)瓿?nbsp;AMD 蘇州工廠、檳城工廠,2018 年排名全球第六
華天科技
以天水為基地,華天西安和華天昆山為前沿,2015 年收購(gòu)?fù)瓿擅绹?guó) FCI ,2018 年排名全球第七
掃二維碼用手機(jī)看
地址:廣東省深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)大道和寶源路交匯處中央大道A棟2層D室
Email: yc@yongcheng-sz.com
勇誠(chéng)國(guó)際有限公司
香港特別行政區(qū)北角英皇道560號(hào)健威花園A座1703室
Tel:00852-69529421 E-mail:qixiaomei888@163.com
華東營(yíng)銷中心
江蘇省昆山市世茂蝶湖灣178號(hào)樓1單元2902室
Tel:0512-5778 0279 E-mail:zguang@yongcheng-sz.com
華中營(yíng)銷中心
湖北省武漢市江漢區(qū)萬景國(guó)際1棟2單元2802號(hào)
Tel:139 2845 8965 E-mail: wh@yongcheng-sz.com